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MMFTP3401B

更新时间： 2024-11-06 14:53:23

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3401B 数据手册

MMFTP3401B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

Source

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

V_GS

Gate-Source Voltage

± 12

-I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.4

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 s.

℃/W

1 / 6

Dated: 20/12/2021 Rev:01

12 3 4 5 6

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