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MMFTP3415A

更新时间： 2024-11-06 14:54:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3415A 数据手册

MMFTP3415A

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Application

• Portable appliances

• Low power DC to DC Converter

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

P_D

Power Dissipation ²⁾

1.25

℃

T_J,T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 15/02/2023 Rev:01

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