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MMFTP3415K

更新时间： 2024-11-26 14:54:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3415K 数据手册

MMFTP3415K

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Extremely low threshold voltage

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

Gate-Source Voltage

± 8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.5

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady-State

83.3

100

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 06/07/2023 Rev:04

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