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MMFTP4101W

更新时间： 2024-11-26 14:55:47

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP4101W 数据手册

MMFTP4101W

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Fast Switching Speed

• Low Input Capacitance

• Low Input/Output Leakage

Gate

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-323 Plastic Package

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 10

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_D

1.5

-I_DM

P_D

329

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

380

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,limited by T_J(MAX)

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated：23/08/2022 Rev:03

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