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MMFTP360

更新时间： 2024-11-26 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP360 数据手册

MMFTP360

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

Applications

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

0.5

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

℃/W

1 / 6

Dated: 21/01/2021 Rev: 02

12 3 4 5 6

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