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MMFTP3419K

更新时间： 2024-11-26 14:55:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3419K 数据手册

MMFTP3419K

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Advanced trench cell design

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Battery management

• High speed switch

• Portable appliances

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 12

3.5

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

t ≤ 10 s

1.4

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

125

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 12/06/2023 Rev:03

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