Datasheet > MMFTP3555SD

MMFTP3555SD

更新时间： 2024-11-26 14:53:51

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
7页	1240K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMFTP3555SD 数据手册

MMFTP3555SD

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

Application

• Inverter

• Power Supplies

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

-I_D

4.5

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation

P_D

1.6

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 7

Dated: 23/04/2021 Rev: 02

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与MMFTP3555SD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMFTP360	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP4011D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP4101W	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP4111D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP510	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP5614D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP5614D-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP5614D-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP5618	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP5618-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體