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MMFTP3443D

更新时间： 2024-11-26 14:55:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3443D 数据手册

MMFTP3443D

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

Applications

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

• Protable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

Drain Current - Continuous

4.7

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation²⁾

-I_DM

P_D

t ≤ 5 s

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

t ≤ 5 s

Steady State

62.5

110

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs,Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 23/05/2023 Rev:03

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