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MMFTP3334K-AH

更新时间： 2024-11-06 14:54:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3334K-AH 数据手册

MMFTP3334K-AH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

t ≤ 10 s

Steady State

Power Dissipation ²⁾

P_D

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse width ≤ 100us, duty cycle ≤ 2 %, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

Steady State

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 27/09/2023 Rev:02

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