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MMFTP3407A

更新时间： 2024-11-06 14:54:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3407A 数据手册

MMFTP3407A

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

4.1

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

1.2

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

104

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 19/05/2022 Rev:01

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