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MMFTP3409K

更新时间： 2024-11-06 14:52:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3409K 数据手册

MMFTP3409K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Drain

Features

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_D

-I_DM

P_D

2.6

1.4

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

90 ²⁾

125

Thermal Resistance from Juntion to Ambient

℃

Steady State

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 S.

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Dated: 28/06/2021 CL Rev:01

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