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MMFTP3248D

更新时间： 2024-11-06 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3248D 数据手册

MMFTP3248D

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

-V_DSS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

T_a= 25℃

T_a= 70℃

3.3

-I_D

Drain Current

Peak Drain Current ¹⁾

-I_DM

P_tot

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ²⁾

R_θJA

62.5

℃/W

Operating Junction Temperature

T_j

- 55 to + 150

℃

Storage Temperature

¹⁾Pulse width limited by maximum junction temperature.

T_stg

²⁾The device mounted on 1 in²copper pad of FR-4 board with 20z. copper, in a still air environment with T_a= 25℃.

156℃/W when mounted on min. copper pad.

Dated: 25/03/2019 Rev: 01

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