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MMFTP2367

更新时间： 2024-11-10 14:53:23

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2367 数据手册

MMFTP2367

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

Gate

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 10

2.8

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

P_D

Power Dissipation ²⁾

0.96

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

132

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 28/05/2021 CL Rev:01

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