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MMFTP304

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP304 数据手册

MMFTP304

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Fast switching speed

• High performance trench technology

for extremely low R_DS(ON)

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Battery management

• Load switch

• Battery protection

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 10

-I_D

2.4

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

500

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 09/07/2021 CL Rev:01

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