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MMFTP2343

更新时间： 2024-11-22 14:54:47

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2343 数据手册

MMFTP2343

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

• High speed switch

• Portable appliance

• Battery mangement

• Low power DC to DC converter

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

-I_D

4.2

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

1.25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 5 s .

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Dated: 10/08/2023 Rev:04

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