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MMFTP3105D

更新时间： 2024-11-06 14:53:23

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3105D 数据手册

MMFTP3105D

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

Applications

• Battery management

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 12

-I_D

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

1.15 ²⁾

Power Dissipation

P_D

1.4 ³⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

108 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

89 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 23/02/2023 Rev:03

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