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MMFTP304K

更新时间： 2024-11-06 14:53:03

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6页	559K
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小信号金氧半電晶體

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MMFTP304K 数据手册

MMFTP304K

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Battery management

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

-V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

0.46

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

1.5

P_D

350

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 07/04/2022 Rev:02

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