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MMFTP3205KHP

更新时间： 2024-11-22 14:55:43

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3205KHP 数据手册

MMFTP3205KHP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• High speed switch

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

400 ²⁾

Drain Current

-I_D

500 ³⁾

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

P_D

0.5 ²⁾

Power Dissipation

1.2 ³⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

℃

T_j, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

255 ²⁾

108 ³⁾

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 14/07/2023 Rev:03

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