Datasheet > MMFTP3056D

MMFTP3056D

更新时间： 2024-11-06 14:54:03

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	436K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMFTP3056D 数据手册

MMFTP3056D

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

1.25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 s.

℃/W

1 / 6

Dated: 21/04/2022 Rev:01

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MMFTP3056D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMFTP3098	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3098-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3098-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3098D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3105D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3130	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3135KW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3205KHP	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3248D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP3327SK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體