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MMFTP2333-AH

更新时间: 2024-11-06 14:54:43
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先科 - SWST /
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6页 557K
描述
小信号金氧半電晶體

MMFTP2333-AH 数据手册

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MMFTP2333-AH  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• AEC-Q101 Qualified  
• Surface-mounted package  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Gate  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
Source  
SOT-23 Plastic Package  
Applications  
• Load Switch  
• Motor / Body Load Control  
Absolute Maximum Ratings(at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter Symbol  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-VDS  
VGS  
-ID  
12  
± 8  
V
Continuous Drain Current  
5.1  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Power Dissipation 2)  
-IDM  
PD  
20  
A
1.25  
W
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
Tstg  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
100  
Unit  
Thermal Resistance - Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
/W  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.  
1 / 6  
®
Dated: 25/05/2022 Rev:01  

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