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MMFTP2313

更新时间： 2024-11-06 14:55:39

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2313 数据手册

MMFTP2313

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Applications

• Portable appliances

• Battery management

1. Gate 2.Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DSS

V_GSS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Drain Current - Continuous

3.6

Drain Current - Pulse ¹⁾

-I_DM

14.4

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

1.25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 s.

℃/W

1 / 6

Dated: 30/03/2022 Rev:02

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