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MMFTP2305D

更新时间： 2024-11-19 14:54:51

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2305D 数据手册

MMFTP2305D

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

Application

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 8

4.2

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

1.25 ²⁾

P_D

Power Dissipation

1.64 ³⁾

T_J,T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

100 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

76 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 20/02/2023 Rev:02

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