Datasheet > MMFTP2319

MMFTP2319

更新时间： 2024-11-06 14:53:59

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	432K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMFTP2319 数据手册

MMFTP2319

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

• Protable appliances

• High speed switch

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

4.2

-I_DM

P_D

Power Dissipation

750

℃

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

t = 5 s

Steady State

100

166

Thermal Resistance Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 6

Dated: 31/08/2022 CL Rev:03

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MMFTP2319相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMFTP2319A	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2319A-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2319A-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2319-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2321	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2321-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2321-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2332	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2332-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP2332-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體