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MMFTP2332-AH

更新时间： 2024-11-06 14:55:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2332-AH 数据手册

MMFTP2332-AH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

-I_D

tp ≤ 10 µs

-I_DM

510 ¹⁾

Power Dissipation

P_D

930 ²⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

245 ¹⁾

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

135 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 19/09/2023 Rev:02

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