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MMFTP2309K

更新时间： 2024-11-19 14:51:43

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先科 - SWST		/
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6页	873K
描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTP2309K 数据手册

MMFTP2309K

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Drain

Classification Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable applications

• battery management

• high speed switch

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

4.2

-I_DM

P_D

1.38

℃

t < 10 s

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air; 270℃/W when mounted on min.

copper pad .

℃/W

Steady State

1 / 6

Dated: 31/05/2023 Rev:03

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