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MMFTP2309K -AH

更新时间： 2024-11-22 14:54:43

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2309K -AH 数据手册

MMFTP2309K-AH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Built-in G-S Protection Diode

• Advanced trench cell design

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable applications

• battery management

• high speed switch

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

4.2

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.38

℃

t < 10 s

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

Steady State

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air; 270℃/W when mounted on min.

copper pad .

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Dated: 31/05/2023 Rev:01

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