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MMFTP2305ASK

更新时间： 2024-11-22 14:54:27

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2305ASK 数据手册

MMFTP2305ASK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Advanced trench cell design

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification

Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Battery management

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

Continuous Drain Current

-I_D

4.2

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_tot

1.38

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 13/06/2023 Z Rev:03

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