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MMFTP2104E

更新时间： 2024-11-19 14:53:47

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先科 - SWST		/
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3页	275K
描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTP2104E 数据手册

MMFTP2104E

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Drain

Features

• Low on resistance

• Low input capacitance

Gate

• Fast switching speed

Source

• Ultra small surfaced mount package

Absolute Maximum Ratings T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current ¹⁾

-V_DS

V_GS

± 12

1.5

1.2

-I_D

T_a= 70℃

Power Dissipation ¹⁾

P_D

500

250

℃/W

℃

Thermal Resistance Junction to Ambient ¹⁾

R_θJA

Operating Junction and Storage Temperature Range

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with 1 inch square pads.

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

at -I_D= 250 µA

-BV_DSS

-V_GSth

Gate-Source Threshold Voltage

at V_DS= V_GS, -I_D= 250 uA

0.45

0.9

Drain-Source Leakage Current

at -V_DS= 20 V, T_j= 25℃

at -V_DS= 20 V, T_j= 125℃

-I_DSS

μA

Gate Leakage Current

at V_GS= ± 12 V

I_GSS

± 100

Drain-Source On-State Resistance

at -V_GS= 1.8 V, -I_D= 200 mA

at -V_GS= 2.5 V, -I_D= 670 mA

at -V_GS= 4.5 V, -I_D= 950 mA

Forward Transconductance

at -V_DS= 10 V, -I_D= 810 mA

240

200

150

R_DS(on)

mΩ

3.1

g_FS

-V_SD

C_iss

Diode Forward Voltage

at -I_S= 360 mA, V_GS= 0 V

0.9

Input Capacitance

at V_GS= 0 V, -V_DS= 16 V, f = 1 MHz

320

Output Capacitance

at V_GS= 0 V, -V_DS= 16 V, f = 1 MHz

C_oss

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

at V_GS= 0 V, -V_DS= 16 V, f = 1 MHz

Dated: 05/01/2019 Rev : 01

12 3

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