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MMFTP1301KW

更新时间： 2024-11-19 14:56:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP1301KW 数据手册

MMFTP1301KW

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low On-Resistance

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Classification Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Applications

•

Portable appliances

Battery management

High speed switch

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 10

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

1.3

-I_DM

P_tot

500

℃

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

℃/W

1 / 6

Dated: 28/07/2023 Rev:03

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