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MMFTP1301KW

更新时间: 2024-11-06 14:56:03
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先科 - SWST /
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6页 484K
描述
小信号金氧半電晶體

MMFTP1301KW 数据手册

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MMFTP1301KW  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Low On-Resistance  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Typical ESD Protection HBM Class 1B  
Classification Voltage Range(V)  
Gate  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-323 Plastic Package  
3A  
3B  
Applications  
Portable appliances  
Battery management  
High speed switch  
Absolute Maximum Ratings(at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
-VDS  
VGS  
-ID  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
12  
± 10  
V
Continuous Drain Current  
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Power Dissipation 2)  
1.3  
A
-IDM  
Ptot  
8
500  
A
mW  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
250  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t 10 s.  
/W  
1 / 6  
®
Dated: 28/07/2023 Rev:03  

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