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MMFTP2035AK

更新时间： 2024-11-19 14:55:23

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6页	484K
描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTP2035AK 数据手册

MMFTP2035AK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• High speed switch

• Battery management

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 10

4.9

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

0.81 ²⁾

1.2 ³⁾

Power Dissipation

P_D

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

154 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

104 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout, t ≤ 10 S.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 S.

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Dated: 01/09/2023 CL Rev:03

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