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MMFTP2105KBP

更新时间： 2024-11-19 14:53:59

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2105KBP 数据手册

MMFTP2105KBP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low On-Resistance

• Very Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

Gate

• Fast Switching Speed

• Ultra-Small Surfaced Mount Package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Source

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 8

700

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

448

T_j

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Steady State

t < 10 s

279

210

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_jmax

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate

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Dated：12/06/2023 Rev:02

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