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MMFTP2206KE

更新时间： 2024-11-19 14:55:39

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2206KE 数据手册

MMFTP2206KE

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low Gate threshold voltage

• Low input capacitance

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Drain

Classificatio

Voltage Range(V)

< 125

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 8

Steady State T_a= 25℃

Steady State T_a= 85℃

430

310

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Total Power Dissipation

-I_DM

P_tot

1.5

150

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,limited by T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 23/12/2020 Rev: 02

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