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MMFTP1605KHP

更新时间： 2024-11-19 14:55:39

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP1605KHP 数据手册

MMFTP1605KHP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Drain

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DSS

Gate-Source Voltage

Drain Current ¹⁾

V_GSS

-I_D

± 10

700

Pulsed Drain Current ²⁾

Power Dissipation ³⁾

-I_DM

P_D

360

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Symbol

R_θJA

Value

Unit

Parameter

t ≤ 10 s

Steady State

245

340

Thermal Resistance Junction to Ambient ³⁾

℃/W

¹⁾The maximum current limited by package.

²⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_jmax

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

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Dated：13/07/2023 Rev:02

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