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Datasheet > 二极管 > 变容二极管> JDV2S19S
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JDV2S19S

更新时间： 2024-09-28 12:04:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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JDV2S19S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOD
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.19
配置：SINGLE二极管电容容差：5.59%
最小二极管电容比：1.74标称二极管电容：3.665 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：10 V子类别：Varactors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

JDV2S19S 数据手册

 浏览型号JDV2S19S的Datasheet PDF文件第2页 
JDV2S19S  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S19S  
VCO for the UHF band  
Unit: mm  
•
•
•
High capacitance ratio: C /C = 1.8 (typ.)  
1V 4V  
Low series resistance: r = 0.35 Ω (typ.)  
s
This device is suitable for use in a small-size tuner.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
TOSHIBA  
1-1K1A  
Weight: 0.0011 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 1 μA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
V
R
Reverse current  
I
C
C
V
V
V
= 10 V  
3
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4 V, f = 1 MHz  
⎯
3.46  
1.83  
1.74  
⎯
⎯
3.87  
2.13  
1.91  
0.47  
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
⎯
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
⎯
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.35  
R
Note: Signal level when capacitance is measured: V = 100 mVrms  
sig  
Marking  
M
1
2007-11-01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JDV2S22FS TOSHIBA

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 		Silicon Epitaxial Planar Type
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JDV2S25SC TOSHIBA

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JDV2S26FS TOSHIBA

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JDV2S26SC TOSHIBA

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 		VCO for UHF Band Radio

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