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JDV3S26CT PDF预览

JDV3S26CT

更新时间： 2024-10-30 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 237K
描述
DIODE UHF BAND, 15.8 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, CST3, 1-1S1A, 3 PIN, Variable Capacitance Diode

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JDV3S26CT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管电容容差：3.03%最小二极管电容比：2.82
标称二极管电容：15.8 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：10 V子类别：Varactors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

JDV3S26CT 数据手册

 浏览型号JDV3S26CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JDV3S26CT的Datasheet PDF文件第3页 
JDV3S26CT  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV3S26CT  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
0.6±0.05  
0.5±0.03  
•
•
•
•
High capacitance ratio: C /C = 2.9 (typ.)  
1V 4V  
Low series resistance: r = 0.37 Ω (typ.)  
s
３
This device is suitable for use in small tuners.  
Lead (Pb)-free.  
１
２
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
0.05±0.03  
0.35  
0.15±0.03  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Reverse voltage  
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
1.Anode  
2.NC  
CST3  
3.Cathode  
JEDEC  
―
―
JEITA  
TOSHIBA  
1-1S1A  
Weight: 0.00075 g (typ.)  
Electrical Characteristics  
=
(Ta 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Reverse voltage  
Reverse current  
V
I
= 1 µA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
1
V
R
I
C
C
V
V
V
= 5 V  
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4 V, f = 1 MHz  
⎯
15.35  
5.27  
2.82  
⎯
⎯
16.31  
5.6  
3
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
⎯
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
⎯
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.37  
0.52  
R
Note: Signal level when capacitance is measured. V = 100 mVrms  
sig  
Marking  
2
1
3
6 0  
1
2005-11-07  
123

中文翻译

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与JDV3S26CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JDV3S27CT TOSHIBA

获取价格

 		VCO for UHF Band Radio
JDV3S29CT TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, 3.73 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, CST3, 1-1S1A, 3 P
JDV3S31CT TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, 10.35 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ULTRA SMALL, CST3, 1-
JDV4P08U TOSHIBA

获取价格

 		VCO for UHF Band Radio
JDV4P08U(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		VARACTOR DIODE,SINGLE,18.3PF C(T),UMD4
JDV4P08U_07 TOSHIBA

获取价格

 		VCO for UHF Band Radio
JDVGC0118 IDEA

获取价格

 		miniature chip type designed for surface mounting and measure approximately 2.5 x 3 mm
JDVGC0128 IDEA

获取价格

 		right-angle bi-color miniature chip type
JDV-PS15LB-10-1 JST

获取价格

 		引脚Z字形排列* 2 个锁定结构（安全锁型和摩擦锁型）。
JDV-PS20FLB-10-1 JST

获取价格

 		引脚Z字形排列* 2 个锁定结构（安全锁型和摩擦锁型）。

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