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JDV3S27CT

更新时间： 2024-10-30 12:05:43

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东芝 - TOSHIBA		/
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3页	247K
描述
VCO for UHF Band Radio

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JDV3S27CT 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-XBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.28
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	3.01%	最小二极管电容比：	2.79
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM

JDV3S27CT 数据手册

JDV3S27CT

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

JDV3S27CT

VCO for UHF Band Radio

Unit: mm

0.6±0.05

0.5±0.03

•

High capacitance ratio: C /C = 2.9 (typ.)

1V 4V

Low series resistance: r = 0.48 Ω (typ.)

３

This device is suitable for use in small tuners.

Lead (Pb)-free.

１

２

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

0.05±0.03

0.35

0.15±0.03

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

150

Junction temperature

°C

Storage temperature range

stg

−55 ~ 150

1.Anode

2.NC

CST3

3.Cathode

JEDEC

―

JEITA

TOSHIBA

1-1S1A

Weight: 0.00075 g (typ.)

Electrical Characteristics

(Ta 25°C)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse voltage

Reverse current

= 1 µA

⎯

= 5 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

⎯

8.06

2.79

⎯

8.56

2.98

0.63

Capacitance

⎯

Capacitance ratio

Series resistance

1V 4V

⎯

Ω

= 1 V, f = 470 MHz

0.48

Note: Signal level when capacitance is measured. V = 100 mVrms

sig

Marking

6 2

2005-11-07

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JDV3S29CT	TOSHIBA	获取价格	DIODE UHF BAND, 3.73 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, CST3, 1-1S1A, 3 P
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