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JDV2S25SC PDF预览

JDV2S25SC

更新时间： 2024-09-28 19:58:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 185K
描述
DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

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JDV2S25SC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-XBCC-N2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
配置：SINGLE二极管电容容差：3.13%
最小二极管电容比：2.81二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-XBCC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：10 V
子类别：Varactors表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JDV2S25SC 数据手册

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JDV2S25SC  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S25SC  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
•
•
•
High capacitance ratio : C /C = 2.9 (typ.)  
1V 4V  
Low series resistance : r = 0.47 ohm (typ.)  
s
２
A two-terminal ultra-small package supports high-density mounting  
and the downsizing of end products.  
•
Lead (Pb)-free.  
１
0.27±0.02  
0.025±0.0  
0.32±0.03  
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Reverse voltage  
V
10  
150  
V
R
1.Anode  
2.Cathode  
SC2  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
-55~150  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
TOSHIBA  
1-1R1A  
Weight: 0.00017 g (typ.)  
]
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Reverse voltage  
Reverse current  
V
I
= 1 µA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
1
V
R
I
C
C
V
V
V
= 5 V  
nA  
R
R
R
R
5.57  
1.88  
2.81  
5.93  
2.08  
3
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4V, f = 1 MHz  
⎯
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
⎯
0.47  
0.62  
R
Note: Signal level when capacitance is measured: V = 100 mVrms  
sig  
Marking  
1
2
1
2005-11-07  
123

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