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JDV2S40FS

更新时间： 2024-02-07 07:55:45
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
DIODE UHF BAND, 4.35 pF, 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, FSC, 1-1L1A, 2PIN, Variable Capacitance Diode

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JDV2S40FS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FSC, 1-1L1A, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73最小击穿电压：15 V
配置：SINGLE二极管电容容差：8.04%
最小二极管电容比：2.3标称二极管电容：4.35 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

JDV2S40FS 数据手册

 浏览型号JDV2S40FS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JDV2S40FS的Datasheet PDF文件第3页 
JDV2S40FS  
TOSHIBA Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S40FS  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
0.6±0.05  
•
•
•
High capacitance ratio: C / C  
= 2.3 (min)  
2V  
10V  
A
Low series resistance: r = 0.44 Ω (typ.)  
s
Useful for small size tuner.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
M
0.07  
A
V
15  
150  
V
R
+0.02  
0.48  
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
-0.03  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
fSC  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
TOSHIBA  
1-1L1A  
Weight: 0.6 mg (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 1 μA  
R
15  
⎯
⎯
⎯
⎯
3
V
R
Reverse current  
Capacitance  
I
V
V
V
= 15 V  
nA  
pF  
pF  
⎯
Ω
R
R
R
R
C
= 2 V, f = 1 MHz  
= 10 V, f = 1 MHz  
⎯
4.0  
1.6  
2.3  
⎯
⎯
4.7  
2.0  
⎯
2 V  
Capacitance  
C
⎯
10 V  
/ C  
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
2.4  
0.44  
2 V  
10 V  
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.6  
R
Note: Signal level when capacitance is measured: V = 500 mVrms  
sig  
Marking  
1
2009-06-22  
123

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与JDV2S40FS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JDV2S41AFS TOSHIBA

获取价格

 		5.5 pF/14 pF Variable Capacitance Diodes, SOD-923
JDV2S41FS TOSHIBA

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 		VCO for V/UHF Band Radio
JDV2S71E TOSHIBA

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 		UHF SHF TUNING
JDV3C11 TOSHIBA

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 		Electronic Tuning Applications of FM Receivers
JDV3C34 TOSHIBA

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 		Electronic Tuning Applications for FM Receivers
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 		DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, CST3, 1-1S1A, 3 PIN, Varia
JDV3S26CT TOSHIBA

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 		DIODE UHF BAND, 15.8 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, CST3, 1-1S1A, 3 P
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 		VCO for UHF Band Radio
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 		DIODE UHF BAND, 3.73 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, CST3, 1-1S1A, 3 P
JDV3S31CT TOSHIBA

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 		DIODE UHF BAND, 10.35 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ULTRA SMALL, CST3, 1-

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