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Datasheet > 二极管 > 变容二极管> JDV2S26FS
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JDV2S26FS

更新时间： 2024-10-30 03:45:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Silicon Epitaxial Planar Type

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JDV2S26FS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.83
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管电容容差：3.03%最小二极管电容比：2.82
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：10 V子类别：Varactors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JDV2S26FS 数据手册

 浏览型号JDV2S26FS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JDV2S26FS的Datasheet PDF文件第3页 
JDV2S26FS  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S26FS  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
•
•
•
High capacitance ratio: C /C =2.9 (typ.)  
1V 4V  
0.6±0.05  
A
Low series resistance: r = 0.4 Ω (typ.)  
s
This device is suitable for use in small tuners.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
M
0.07  
A
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
+0.02  
0.48  
-0.03  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
fSC  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
TOSHIBA  
1-1L1A  
Weight: 0.0006 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 1 μA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.4  
⎯
1
V
R
Reverse current  
I
C
C
V
V
V
= 5 V  
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4 V, f = 1 MHz  
⎯
15.35  
5.27  
2.82  
⎯
16.31  
5.6  
3
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.55  
R
Note: Signal level when capacitance is measured. V = 100mVrms  
sig  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与JDV2S26FS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JDV2S26SC TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, 15.81 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, ULTRA SMALL, SC2
JDV2S27FS TOSHIBA

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 		DIODE UHF BAND, 8.31 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, FSC, 1-1L1A, 2 PI
JDV2S27SC TOSHIBA

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 		DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variab
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 		Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S28SC TOSHIBA

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 		VCO for UHF Band Radio
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 		Useful for small size tuner.
JDV2S36E(TPH3) TOSHIBA

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