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JDV2S28FS

更新时间： 2024-10-30 03:45:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Silicon Epitaxial Planar Type

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JDV2S28FS 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOD
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.26
最小击穿电压：10 V配置：SINGLE
二极管电容容差：3%最小二极管电容比：2.08
标称二极管电容：10.515 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：10 V
子类别：Varactors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL

JDV2S28FS 数据手册

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JDV2S28FS  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S28FS  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
•
•
•
High capacitance ratio: C /C = 2.15 (typ.)  
1V 3V  
0.6±0.05  
A
Low series resistance: r = 0.39 Ω (typ.)  
s
This device is suitable for use in small tuners.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
M
0.07  
A
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
+0.02  
0.48  
-0.03  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
TOSHIBA  
1-1L1A  
Weight: 0.0006 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 1 μA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
1
V
R
Reverse current  
I
C
C
V
V
V
= 5 V  
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 3 V, f = 1 MHz  
⎯
10.2  
4.66  
2.08  
⎯
⎯
10.83  
5.05  
2.22  
0.51  
1V  
3V  
Capacitance  
pF  
⎯
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 3V  
⎯
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.39  
R
Note: Signal level when capacitance is measured. V = 100mVrms  
sig  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与JDV2S28FS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JDV2S28SC TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, 10.45 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ULTRA SMALL, LEAD FRE
JDV2S29FS TOSHIBA

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 		VCO for UHF Band Radio
JDV2S29SC TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variab
JDV2S31SC TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variab
JDV2S36E TOSHIBA

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 		Useful for small size tuner.
JDV2S36E(TPH3) TOSHIBA

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 		JDV2S36E(TPH3)
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 		VARACTOR DIODE,SINGLE,EMD2
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JDV2S40FS TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UHF BAND, 4.35 pF, 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, FSC, 1-1L1A, 2PIN, Var
JDV2S41AFS TOSHIBA

获取价格

 		5.5 pF/14 pF Variable Capacitance Diodes, SOD-923

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