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JDV2S29SC

更新时间： 2024-10-30 21:00:23

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	185K
描述
DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

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JDV2S29SC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-XBCC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	3.93%
最小二极管电容比：	2.73	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-XBCC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

JDV2S29SC 数据手册

JDV2S29SC

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S29SC

VCO for UHF Band Radio

Unit: mm

•

High Capacitance Ratio : C /C = 2.8 (typ.)

1V 4V

Low Series Resistance : r = 0.64 ohm (typ.)

２

A two-terminal ultra-small package supports high-density mounting

and the downsizing of end products

•

Lead (Pb)-free.

１

0.27±0.02

0.025±0.0

0.32±0.03

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

１：カソード

２：アノード

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

150

Junction temperature

°C

Storage temperature range

stg

-55~150

1.Anode

2.Cathode

SC2

JEDEC

JEITA

⎯

TOSHIBA

1-1R1A

) Weight: 0.00017 g (typ.)

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse voltage

Reverse current

= 1 µA

⎯

= 6 V

3.54

1.22

2.73

3.83

1.37

2.92

0.75

= 1 V, f = 1 MHz

= 4V, f = 1 MHz

⎯

Capacitance

Capacitance ratio

Series resistance

1V 4V

⎯

Ω

= 1 V, f = 470 MHz

⎯

0.64

Note: Signal level when capacitance is measured: V = 100 mVrms

sig

Marking

2005-11-07

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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