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Datasheet > 二极管 > 变容二极管> JDV2S25FS
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JDV2S25FS

更新时间： 2024-10-30 03:45:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
Silicon Epitaxial Planar Type

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JDV2S25FS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管电容容差：3.19%
最小二极管电容比：2.77二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：10 V
子类别：Varactors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JDV2S25FS 数据手册

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JDV2S25FS  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S25FS  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
•
•
•
High capacitance ratio: C /C = 2.9 (typ.)  
1V 4V  
0.6±0.05  
A
Low series resistance: r = 0.49 Ω (typ.)  
s
This device is suitable for use in small tuners.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
M
0.07  
A
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
+0.02  
0.48  
-0.03  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
fSC  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
TOSHIBA  
1-1L1A  
Weight: 0.0006 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 1 μA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
V
R
Reverse current  
I
C
C
V
V
V
= 5 V  
1
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4 V, f = 1 MHz  
⎯
5.62  
1.91  
2.77  
⎯
⎯
5.99  
2.12  
2.98  
0.64  
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
⎯
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
⎯
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.49  
R
Note: Signal level when capacitance is measured. V = 100 mVrms  
sig  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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