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IXTT1N250HV

更新时间： 2024-01-02 12:24:29

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	156K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT1N250HV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.34	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXTT1N250HV 数据手册

IXTT1N250HV

Fig. 2. Output Characteristics @ T_J= 125ºC

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= @ 25ºC

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

V_GS= 10V

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 0.5A Value vs.

Junction Temperature

Fig. 3. R_DS(on)Normalized to I_D= 0.5A Value vs.

Drain Current

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

V_GS= 10V

T_J= 125ºC

I _D= 1A

I _D= 0.5A

T_J= 25ºC

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

-50

-25

100

125

150

I_D- Amperes

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. Maximum Drain Current vs.

Case Temperature

Fig. 6. Input Admittance

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

-50

-25

100

125

150

2.8

3.0

3.2

3.4

3.6

3.8

4.0

4.2

4.4

4.6

4.8

5.0

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

1 234 5 6

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