Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH30N120B3

IXGH30N120B3

更新时间： 2024-11-25 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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描述
GenX3 1200V IGBTs

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IXGH30N120B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	380 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	471 ns	标称接通时间 (ton)：	56 ns
Base Number Matches：	1

IXGH30N120B3 数据手册

GenX3^TM1200V

IGBTs

IXGA30N120B3

IXGP30N120B3

IXGH30N120B3

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 1200V

= 30A

≤£ 3.5V

= 204ns

High-Speed Low-Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz Switching

TO-263 (IXGA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-220 (IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

150

C (Tab)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

TO-247 (IXGH)

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

- 55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

C (Tab)

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

G = Gate

E = Emitter

Tab

Collector

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Features

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

^zSquare RBSOA

^zInternational Standard Packages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

Applications

100 μA

T_J= 125°C

1 mA

^zPower Inverters

^zUPS

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

^zMotor Drives

^zSMPS

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

2.96

2.95

3.5

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

T_J= 125°C

DS99730B(10/09)

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IXGH30N120B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH30N120B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N120C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH30N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N30	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH30N30S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 250V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH30N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH30N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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