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IXGH30N30

更新时间： 2024-11-05 22:41:15

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	77K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGH30N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	250 ns	标称接通时间 (ton)：	25 ns
Base Number Matches：	1

IXGH30N30 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH30N30

V_CES= 300 V

I_C25= 60 A

V_CE(sat)= 1.6 V

t_fi

= 180 ns

Preliminary data

TO-247 AD

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W I_CM= 60

Clamped inductive load, L = 100 mH @ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

· Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

-55 ... +150

· Highcurrenthandlingcapability

· NewestgenerationHDMOS^TM

process

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

260

· MOS Gate turn-on

- drive simplicity

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

Applications

· AC motor speed control

· DC servo and robot drives

· DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

· Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

· Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

300

2.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

· High power density

1.6

· Suitableforsurfacemounting

· Switching speed for high frequency

applications

· Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

±100

V_CE(sat)

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

96542C(7/00)

1 - 4

12 3 4

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与IXGH30N30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N30S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 250V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH30N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH30N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
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IXGH30N60B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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