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IXFK16N90Q

更新时间： 2024-01-06 05:54:59

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2页	75K
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFK16N90Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.65 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK16N90Q 数据手册

IXFH 16N90Q IXFK 16N90Q

IXFT 16N90Q

Symbol

g_fs

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

TO-247 AD (IXFH) Outline

min. typ. max.

V_DS= 10 V; I_D= 0.5 • I_D25, pulse test

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

C_iss

C_oss

C_rss

4000

430

155

Dim. Millimeter

Inches

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Min. Max. Min. Max.

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

R_G= 2.0 W (External),

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

4.32 5.49 0.170 0.216

Q_g(on)

Q_gs

133 170

5.4

6.2 0.212 0.244

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

Q_gd

1.0

1.4 0.040 0.055

10.8 11.0 0.426 0.433

R_thJC

R_thCK

0.35 K/W

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

TO-247

TO-264

0.25

0.15

K/W

1.5 2.49 0.087 0.102

TO-264 AA (IXFK) Outline

Source-DrainDiode

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Symbol

I_S

TestConditions

min.

typ. max.

V_GS= 0 V

I_SM

Repetitive; pulse width limited by T_JM

V_SD

I_F= I_S, V_GS= 0 V,

1.5

Dim.

Millimeter

Inches

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

Min.

Max.

Min.

Max.

4.82

2.54

2.00

1.12

2.39

2.90

5.13

2.89

2.10

1.42

2.69

3.09

.190

.100

.079

.044

.094

.114

.202

.114

.083

.056

.106

.122

t_rr

Q_RM

I_RM

250

I_F= I_S-di/dt = 100 A/ms, V_R= 100 V

0.53

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.83

.021

1.020

.780

.033

1.030

.786

.215 BSC

0.00

0.25

.000

.010

TO-268AA (IXFT) (D³PAK)

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

20.32 20.83

.800

.090

.820

.102

2.29

2.59

3.17

6.07

8.38

3.81

1.78

3.66

6.27

8.69

4.32

2.29

.125

.239

.330

.150

.070

.144

.247

.342

.170

.090

A₁

A₂

4.9

2.7

.02

5.1

2.9

.25

.193 .201

.106 .114

.001 .010

b₂

1.15

1.9

1.45

2.1

.65

.045 .057

.75

.83

6.04

1.57

6.30

1.83

.238

.062

.248

.072

.016 .026

E₁

13.80 14.00

15.85 16.05

.543 .551

.624 .632

.524 .535

Min. Recommended Footprint

13.3

5.45 BSC

18.70 19.10

13.6

.215 BSC

.736 .752

.094 .106

2.40

2.70

1.20

1.00

0.25 BSC

1.40

1.15

.047 .055

.039 .045

.010 BSC

3.80

4.10

.150 .161

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 2

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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