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IXBP5N160G

更新时间： 2024-09-15 20:06:07

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
3页	78K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXBP5N160G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
Base Number Matches：	1

IXBP5N160G 数据手册

IXBP 5N160 G

IXBH 5N160 G

I_C25

= 5.7 A

High Voltage

BIMOSFET^TM

V_CES= 1600 V

V_CE(sat)= 4.9 V

t_f

= 70 ns

Monolithic Bipolar MOS Transistor

TO-220 AB (IXBP)

Preliminary data sheet

C (TAB)

TO-247 AD (IXBH)

C (TAB)

A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode

IGBT

Features

• High Voltage BIMOSFET^TM

- substitute for high voltage MOSFETs

with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control

10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency

operation

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

1600

V_GES

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

5.7

3.5

- reverse conduction capability

• industry standard package

- TO-220AB

10/0

I_CM

V_CEK

V_GE

V; R_G= 47 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

0.8V_CES

- TO-247AD

P_tot

T_C= 25°C

epoxy meets UL94V-0

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

min.

typ. max.

V_CE(sat)

I_C= 3 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

4.9

5.6

7.2

• resonant converters

• lamp ballasts

• laser generators, x ray generators

V_GE(th)

I_CES

I_C= 0.3 mA; V_GE= V_CE

3.5

5.5

V_GE= 0 V; V_CE= V_CES

;

T_VJ= 25°C

150 µA

µA

V_CE= 0.8V_CES; T_VJ= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

100 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

140

200

120

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 960 V; I_C= 3 A

10/0

V_GE

V; R_G= 47 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600V; V_GE= 10 V; I_C= 3 A

325

V_F

(reverse conduction); I_F= 3 A

R_thJC

1.85 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

IXYS Semiconductor GmbH

IXYS Corporation

Edisonstr. 15,

Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627

D-68623 Lampertheim

3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054

Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670

12 3

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与IXBP5N160G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBR42N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24
IXBR42N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT10N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT10N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT12N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT12N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT16N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO

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