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IXBT16N170

更新时间： 2024-09-15 20:05:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXBT16N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	940 ns	标称接通时间 (ton)：	220 ns
Base Number Matches：	1

IXBT16N170 数据手册

Advanced Technical Information

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

BipolarMOSTransistor

IXBH 16N170

IXBT 16N170

V_CES

I_C25

= 1700 V

25 A

V_CE(sat)= 3.3 V

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXBH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 W

Clamped inductive load

I_CM

V_CES

1350

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

°C

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

Features

260

• HighBlockingVoltage

• JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

• Low conduction losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 AD

TO-268

- drive simplicity

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

• AC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1700

2.5

• Capacitor discharge circuits

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 mA

1.5 mA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

3.3

T_J= 125°C

2.9

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98657(9/99)

1 - 2

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与IXBT16N170相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N170AHV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170AHV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT20N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT20N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT20N360HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor

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