5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXBR42N170
IXBR42N170 PDF预览

IXBR42N170

更新时间： 2024-11-19 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压二极管
页数 文件大小 规格书
6页 196K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXBR42N170 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

IXBR42N170 数据手册

 浏览型号IXBR42N170的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXBR42N170的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXBR42N170的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXBR42N170的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXBR42N170的Datasheet PDF文件第6页 
Preliminary Technical Information  
High Voltage, High Gain  
BIMOSFETTM Monolithic  
Bipolar MOS Transistor  
VCES = 1700V  
IC90 = 32A  
VCE(sat) ≤ 2.9V  
IXBR42N170  
ISOPLUS247TM  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
1700  
1700  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
G
b  
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
57  
32  
A
A
A
TC = 90°C  
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
TC = 25°C, 1ms  
300  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10Ω  
ICM = 100  
A
V
(RBSOA)  
Clamped inductive load  
VCES ≤ 1350  
Features  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z Silicon chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) substrate  
TJM  
Tstg  
z Isolated mounting surface  
z 2500V electrical isolation  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
FC  
Mounting force  
20..120 / 4.5..27  
Nm/lb.in.  
z Low gate drive requirement  
z High power density  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
IISOL ≤ 1mA  
Applications:  
Weight  
5
g
z Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
z Uninterruptible power supplies (UPS)  
z Laser generator  
z Capacitor discharge circuit  
z AC switches  
Symbol Test Conditions  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
1700  
2.5  
V
V
5.5  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0V  
50 μA  
1.5 mA  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 42A, VGE = 15V, Note 1  
2.9  
V
V
TJ = 125°C  
2.7  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
DS100043(10/08)  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXBR42N170相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXBT10N170 IXYS

获取价格

 		High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT10N170 LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT12N300 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT12N300HV IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT16N170 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT16N170A IXYS

获取价格

 		High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N170AHV IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170AHV LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO

与IXBR42N170相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证