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IXBT10N170

更新时间： 2024-11-05 14:56:23

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力特 - LITTELFUSE		栅双极性晶体管高压功率控制二极管
页数	文件大小	规格书
6页	548K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBT10N170 数据手册

V_CES= 1700 V

I_C2520 A

V_CE(sat)= 3.8 V

HighVoltage,HighGain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

IXBH 10N170

IXBT 10N170

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247AD(IXBH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

I_CM

V_CES

1350

C (TAB)

Clamped inductive load

P_C

T_C= 25°C

140

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

°C

-55 ... +150

Features

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

^zHigh Blocking Voltage

^zJEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

260

^zLow conduction losses

M_d

Mounting torque (M3) (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

- drive simplicity

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

^zAC motor speed control

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

Temperature Coefficent

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

Temperature Coefficent

1700

3.0

%/K

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

0.10

5.0

- 0.24

%/K

^zCapacitor discharge circuits

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

10 µA

100 µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100 nA

^zHigh power density

^zSuitable for surface mounting

^zEasy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

3.4

4.1

3.8

T_J= 125°C

DS99048(05/03)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT12N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT12N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT16N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N170AHV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170AHV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,

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